碳化硅是一種人造材料，分子式為SiC，隕石及地殼上偶然存在碳化硅。碳化硅分子量為40.07，密度為3.16～3.2g/cm3。SiC具有α和β兩種晶型，當溫度低于1600℃時，SiC以β-SiC形式存在，當高于1600℃時，β-SiC轉變為α-SiC的形式。

碳化硅以共價鍵為主，共價鍵約占88%。晶格的基本結構是互相穿插的SiC4和CSi4四面體。由于四面體堆積次序的不同形成不同的結構，至今已發現幾百種變體，常見的結構如3C-SiC、4H-SiC、6H-SiC等堆積規律。

碳化硅的化學穩定性與其氧化特性有密切關系，碳化硅本身很容易氧化，但它氧化之后形成了一層二氧化硅薄膜，氧化進程逐步被阻礙。

在空氣中，碳化硅于800℃時就開始氧化，但很緩慢；隨著溫度升高，則氧化速度急速加快。碳化硅的氧化速率，在氧氣中比在空氣中快1.6倍；氧化速率的速度隨著時間推移而減慢。

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